Mathematical Engineering - Elettronica

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III Appello Invernale - AA 21/22 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 19/02/2022 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 .1 Si consideri il circuito di fig. 1.1, e si assumano i transistori tutti saturi. Sia v in1= v in2 = v cm: si calcoli il trasferimento v out1 (s)/v cm(s), e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 Fig . 2 Con riferimento al circuito di figura 2, si calcolino i seguenti trasferimenti ideali e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato 2.1 per V in1 = -V in2 = V d/2, V out(s)/V d(s). C2 = 20 pF 2.2 per V in1 = V in2 = V cm, V out(s)/V cm(s), sostituendo a C2 un circuito aperto Es. 3 3.1 Si consideri un condensatore nMOS. A soglia, |Q d| = 13.8 nC/cm 2. Sia ora V gb tale da far sì che il campo nell’ossido sia pari a 240 kV/cm. Calcolare, in questa condizione, Qc. Fig. 3 3.2 In un condensatore nMOS , il grafico di Fig. 3 mostra l�andamento del campo nell�ossido in funzione di V gb per V gb > Vth. L�ossido del condensatore non � SiO2! Sapendo che N A = 10 16 cm -3, calcolare la capacit� specifica dell�ossido misterioso. Vgb , III Appello Invernale - AA 21/22 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 19/02/2022