Mathematical Engineering - Elettronica

Full exam

Appello Estivo – AA 2021/2022 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 30/08/2022 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/c m, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1 (assumendo i transistori saturi): 1.1 v in1(s) = -v in2(s) = v d(s)/2. Calcolare il trasferimento [v out1 (s)- v out2 (s)]/v d(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 1.2 v in1(s) = v in2(s) = v cm(s). Calcolare il trasferimento v out1 (s)/v cm(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 Fig . 2 2.1 Si co nsider i c ircu it o di fig. 2. Iin � una sinusoide di ampiezza 1 mA e frequenza 10 MHz. Considerando il trasferimento reale Vout/Iin, si calco li l’ampiezza della sinuso ide sul nodo di usc it a. Es. 3 Fig. 3 S i co nsider i il transistore nMOS in figura. Il bulk afferisce a massa tramite un resistore R. W = 100 µm, L = 5 µm, N A = 5 × 10 16 cm -3, V FB = 0.1 V, t ox = 25 nm. V S = V D = 0 V. 3.1 Sia R = 0 Ω. La tensione di gate è tale da mantenere il transistor in forte inversione, e Qc = -5.52 ×10 -13 C. Quanto vale il campo nell’ossido? 3.2 Sia R = 50 Ω. Si assuma che in R fluisca una corrente I (ad esempio prodotta dalla giunzione canale-substrato polarizzata in inversa). Si calco li ������������������������������������������������I /������������ ������������ per I tendente a 0 A. vin1 vin2