Mathematical Engineering - Elettronica

Full exam

II Appello Estivo – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 30/07/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 a Con riferimento al circuito di figura 1a: 1.1 Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di V out e di I D2, discutendo lo stato di conduzione dei diodi . I condensatori sono inizialmente scarichi. C1 = 10 µF, C2= 30 µF Es. 2 2.1 In un transistore nMOS la tensione di soglia V TH vale 5.73 V. Calcolare la tensione V SB. N AB = 10 16 cm -3, tox = 125 nm, V FB = 0.3 V. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Si assumano tutti i transistori saturi: 3.1 Si consideri il circuito di fig. 3a, e si calcoli il trasferimento v out/vin(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Si consideri il circuito di fig. 3b, e si calcoli il trasferimento v out/(v d/2)(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 1 mA V