Mathematical Engineering - Elettronica

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III Appello Estivo – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 27/08/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 a Con riferimento al circuito di figura 1a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’ andamento di Vout indicando lo stato di conduzione del diodo nei seguenti casi: 1.1 R3 = 0 Ω 1.2 R3 = 1 kΩ Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento alla struttura p+/i/n/n+ in figura 2a, si calcoli Vext sapendo che il campo elettrico nella zona intrinseca è pari a 3×10 4 V/cm. La zona p+, la zona n e la zona n+ hanno una estensione di 1 µm, la zona intrinseca di 10 µm. Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig. 3a, si calcoli il trasferimento v out/vin(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato, assumendo tutti i transistori saturi , nelle seguenti condizioni: 3.1 al posto di C2 si sostituisca un circuito aperto 3.2 al posto di C1 si sostituisca un circuito aperto.