Mathematical Engineering - Elettronica

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I Appello Invernale – AA 2019/2020 Elettronica Ing. Matematica Milano, 13/01/2020 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. N AB = 5×10 15 cm -3, tox = 110 nm, V FB = 0.3 V, V S = V D > 0 V, V B = 0 V. La tensione di gate V G è tale da far sì che Q C = 0 C/cm 2 e |Q D| = 69.28 nC/cm 2. Calcolare V G. 1.2 Si consideri un transistore nMOS. N AB = 10 17 cm -3, tox = 70 nm, V FB = 0 V, V G = 5 V, V B = 0 V. V S = V D = V C. Quale è la tensione di canale V C per cui il transistor si trova a soglia? Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out(s)/v in(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm = 1 kΩ per tutti i transistori. Es. 3 Fig . 3a Fig . 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di V out, indicando lo stato di conduzione del diodo. La capacità è inzialmente scarica. 3.2 Con riferimento al circuito di fig. 3b, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di i c, indicando lo stato di conduzione del diodo. La capacità è inzialmente scarica.