Mathematical Engineering - Elettronica

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II Appello Invernale – AA 201 8/201 9 Elettronica Ing . Matematica Milano, 08/02/201 9 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3 Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6 ×10 -19 C, ni = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri una giunzione pn polarizzata. V ext (applicato alla zona p mantenendo la zona n a massa) vale 0.655 V. Sapendo che: p n(-xn)*n p(xp) = 2.194×10 19 cm -6, e che p n(-xn) + n p(xp) = 1.082×10 15 cm -3, calcolare l’estensione della zona svuotata. Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2 a, e assumendo i transistori saturi : 2.1 Calcolare v out/vin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig . 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3a calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Co n riferimento al circuito di fig . 3b, determinare R3 affinchè l’unica singolarità di Gloop (s) sia rappresentata dal polo dovuto all’operazionale.