Mathematical Engineering - Elettronica

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I Appello Estivo – AA 201 8/201 9 Elettronica Ing . Matematica Milano, 28/06/201 9 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3 Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6 ×10 -19 C, ni = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS. NAB = 10 16 cm -3, n = 1200 cm 2/Vs, t ox = 100 nm, V FB = 0.3 V, V B = 0 V. Sia x d max la massima estensione della zona svuotata. Quanto deve valere V G affinchè xd = 0.5 x d max ? Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c Assumendo i transistori saturi : 2.1 Fig. 2a: c alcolare v out/iin. 2.2 Fig. 2b: calcolare vout/iin. 2.3 Fig. 2c: calcolare v out/iin. Es. 3 Fig . 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3 a, calcolare Gloop, disegnarne il diagramma di Bode del modulo e calcolare il margine di fase . 3.2 Si consideri il circuito di fig . 3b. I dati dell’operazionale sono i medesimi di fig. 3a, R2 = 10 k ; si sostitu isca a R1 , C1 , C2 un circuito aperto. Iin è una sinusoide a 1 MHz e di ampiezza 1 mA. Si esprima analiticamente v out, considerando il trasferimento reale . vout 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4