Mathematical Engineering - Elettronica

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II Appello Estivo – AA 201 8/201 9 Elettronica Ing . Matematica Milano, 17 /07/201 9 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3 Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6 ×10 -19 C, ni = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 a 1.1 Con riferimento al circuito di fig. 1a, disegnare su un diagramma quotato l’andamento nel tempo di Vout, considerando il trasferimento reale . Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out(s)/v in(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assuma C2 un circuito aperto. C1 = 470 pF. 2.2 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out/vin. Si assuma C1 un circuito aperto e C2 un corto circuito . Es. 3 Fig . 3a 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3 a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di i c, indicando lo stato di conduzione dei diodi.