Mathematical Engineering - Elettronica

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I Appello Autunnale – AA 201 8/201 9 Elettronica Ing . Matematica Milano, 06/09 /201 9 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3 Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6 ×10 -19 C, ni = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1 a 1.1 Con riferimento al circuito di fig. 1a, calcolare la funzione di trasferimento Vout/Vin considerando i trasferimenti reali, e disegnarne il diagramma di bode del modulo quotato. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2 b 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out(s)/v in(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assuma C2 un circuito aperto. C1 = 47 pF. R1 = 100 k R2 = 1 M , R3= 2 M , R4 = 3 k , 1/gm = 1 k , R5 = R6 = 25 k. 2.2 Con riferimento al circuito di Fig. 2 b, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out(s) /vin(s) . C1 = 47 0 pF , C2 = 47 pF , R1 = 20 k R2 = 100 k , R3= 100 k , R4 = 6 k , 1/gm = 800 , R5 = 18 k . Es. 3 3.1 Si conside ri un condensatore nMOS. NAB = 3 × 10 16 cm -3, n = 1200 cm 2/Vs, t ox = 85 nm, V FB = 0.25 V, VB = 1 V. Sia x d max la massima estensione della zona svuotata. Se VG è tale da far sì che xd = 0. 8 xd max , quanto vale il campo elettrico nell’ossido ? 3.2 Si consideri un condensatore nMOS. NAB = 7 × 10 16 cm -3, n = 1200 cm 2/Vs, t ox = 100 nm, V FB = 0 V, VB = 0 V. Sia x d max la massima estensione della zona svuotata. Se VG è tale da far sì che xd = 0. 7 xd max , quanto vale V G? Vout Vout