Mathematical Engineering - Elettronica

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Appello Estivo – AA 201 7/201 8 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 17/07/201 8 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 =1/3 Si, Si=1pF/cm, q=1.6 ×10 -19C, ni=9.65×10 9 cm -3, V T=26mV . Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. V G = 7V, V S = 0.3 V, V D = 1.5 V . Calcolare QD e Q C lato source. NAB = 1016 cm -3, n = 1200 cm 2/Vs, t ox = 85 nm, V FB= 0 V, V B= -0.5 V. 1.2 Si consideri una giunzione pn . NA = 3×1016 cm -3, ND = 1016 cm -3. n = 1200 cm 2/Vs, p = 400 cm 2/Vs. Sia ������������������������̅̅̅̅̅ la tensione esterna tale per cui n(x p)=1/10 n p0. Si assuma ������������������������̅̅̅̅̅ applicato alla zona p, la zona n a massa , le basi corte . Quante va le in queste condizioni la capacità di giunzione? Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2 a, e assumendo i transistori saturi : 2.1 Calcolare Vout 1/Vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare (Vout 1-Vout2) /Iin2(s) e disegnarne il diagr amma di Bode del modulo quotato, assumendo C3 in corto circuito Es. 3 Fig. 3a Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Calcolare il Gloop, disegnarne il diagrama di Bode quotato del modulo e discutere la stabilità del circuito . 3.2 Iin è una corrente continua pari a 100 A. Calcolare la differenza REALE (V --V+), assumendo il circuito stabile . 1/gm=5 00 , R1=5k , R2=9 0k , R3=3 k, R4=1 k, R5=2 M , C1=3 3pF, C2= 47 pF , C3=3 nF R1=10 k, R2=10 0k , R3=200 k, R4=1k , C1= 470 pF, C2=47pF Ad0=1000, (2 d)-1 = 1.5kHz Iin2 1 1Vout3 Vin2 + Iin