Mathematical Engineering - Elettronica

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AA 201 7/201 8 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 31 /08/201 8 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 =1/3 Si, Si=1pF/cm, q=1.6 ×10 -19C, ni=9.65×10 9 cm -3, V T=26mV . Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS (Fig. 1a). Il modulo del campo elettrico vale 10 kV/cm alla coordinata x1 = -100 nm. L’estensione della zona svuotata è di 200 nm. Calcolare Qc e Qd. NAB = 6.25 ×10 15 cm -3, n = 1200 cm 2/Vs, t ox = 150 nm, V FB = 0 V, V B= 0 V. 1.2 Si consideri una giunzione pn. NA = ND = 10 16 cm -3. n = 1200 cm 2/Vs, p = 400 cm 2/Vs, n = p = 1 s. Sia ������������������������̅̅̅̅̅ la tensione esterna tale per cui n(x p+150nm)=10 n p0. Si assuma ������������������������̅̅̅̅̅ applicato alla zona p, la zona n a massa, le basi lunghe. Quante vale in queste condizioni la capacità di diffusione? Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2 a, e assumendo i transistori saturi : 2.1 Calcolare Vout 3/Vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare (Vout 3-Vout2) /Vin2(s) e disegnarne il diagr amma di Bode del modulo quotato, assumendo C3 in corto circuito . Es. 3 Fig. 3a Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Calcolare il trasferimento reale Vout1/Iin 2 in continua . Si assuma il circuito stabile. 3.2 Calcolare il trasferimento ideale Iout2(s)/Iin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm= 750, R1=4 k, R2=10 0k , R3=4 k, R4=0.6 k, R5=3 M , C1=47 pF, C2= 3pF , C3=1 nF R1=10 k, R2=25 0k , R3=25 0k, R4=1 .5k, C1= 47 pF, C2=47pF Ad0=1 00, (2 d)-1 = 15 kHz 1 Iin2 Vout1 Iin2 1 1Vout3 Vin2 + Iin