Mathematical Engineering - Elettronica

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I appello – AA 201 6/201 7 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 17 /02 /201 7 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 =1/3 Si, Si=1 pF/cm, q=1.6×10 -19 C, n i=9.65×10 9 cm -3. Fig. 1a Fig. 1b Si assumano tutti i transistor i saturi. 1.1 Fig. 1a. Calcolare Vout1(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1.2 Fig 1a. Calcolare Vout2(s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato assumendo C3 in corto circuito. 1.3 Fig. 1b. Calcolare Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 2.1 Si consideri una giunzione pn. Il campo di rottura è pari a 5×10 5 V/cm. Sia V ext* la tensione che porta alla rottura della giunzione. Quanto vale la capacità di giunzione per V ext = V ext* ? NA =10 15 cm -3, ND = 5 × 10 15 cm -3. n = 1200 cm 2/Vs, p = 400 cm 2/Vs, n = p = 200 ns, Wn=Wp= 100 m. (V ext è applicato alla zona p, la zona n è a massa). 2.2 Si consideri un condensatore nMOS. Cgb 1 è la capacità tra gate e bulk misurata per s = 1/10 F. Cgb 2 la capacità tra gate e bulk misurata per VGB = +10 V. Calcolare Cgb 1/Cgb 2. N AB = 10 16 cm -3, tox = 65 nm, V FB = 0.1 V, n = 1200 cm 2/Vs. Es. 3 Fig . 3a Fig . 3b 3.1 Si consideri il circuito di Fig. 3a. Sia Vin una sinusoide a frequenza 10 kHz. Di quanto risulta essere lo sfasamento dell’uscita rispetto all’ingresso? Si considerino i trasferimenti reali . R = 100k  3.2 Si consideri il circuito di Fig. 3b. Calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin . Vout Vout