Mathematical Engineering - Elettronica

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I Appello Est ivo – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 13/06/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/c m, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 1.1 Si consideri la struttura n+/i/p+/p in figura. Vext è tale da svuotarla completamente. L’estensione delle regioni ed i loro drogaggi sono rispettivamente i seguenti: n+ 20 nm, 10 18 cm -3; i 1 µm; p+ 15 nm, 10 18 cm -3; p 50 nm, 10 17 cm -3. Calcolare Vext. Es. 2 Fig . 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 1/gm = 750 Ω 2.1 Calcolare v out(s)/v in(s) e disegnarne il d iagra mma d i Bo de de l mo dulo quotato. 2.2 La linea di alimentazione dei transistori 3 e 4 è disturbata. Come si riflette il disturbo sull’uscita? Calcolare v out(s)/v di st(s) e disegnarne il diagramma d i Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3 a Fig. 3 b 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, calcolare Vout(s)/Iin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, calcolare Vout(s)/Iin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.3 Con riferimento al c ircu it o di Fig. 3b, calcolare la differenza di potenziale reale ai capi dell’operazionale. Ad0 = 1000, τ d = 20 ms