Mathematical Engineering - Elettronica

02 Esercitazione Testo

Divided by topic

Esercitazione 2 Gerardo Malavena [email protected] Esercizio 1Grandezza Valore n p01 ×104 cm− 3 pn01 .4×103 cm− 3 n(−x p) 3 .35×1015 cm− 3 Lp32 µm τn,p5 /1µsSi consideri un diodo in silicio con i parametri indicati nella tabella. a.Calcolare quanto vale la tensione applicataV D. [ V D≈ 0.69 V] b.Calcolare l’estensione della zona di carica spaziale. [W≈82 nm] c.Calcolare la mobilità delle lacune. [µ p= 393 .8 cm2 /V·s] Esercizio 2Grandezza Valore l ′ n,p2 µm µn,p1000 /400cm2 /V·s τn,p200 ns ND,A1 ×1016 /1×1018 cm− 3Si consideri il diodo rappresentato in figura. La capacità di giunzione C jvale il doppio rispetto al suo valore all’equilibrio. Calcolare il valore della capacità di diffusioneC d. [C d≈ 0.24µF/cm2 ] 1 Esercizio 3 Un diodo polarizzato in diretta presenta una densità di elettroni nella regione quasi neutra di tipoppari an p( x) =n p(0) exp −x/L n+ n p0, con n p(0) = 4 .35×1012 cm− 3 ,n p0= 2.1×103 cm− 3 eL n= 6 µm(x= 0corrisponde al limite della regione svuotata nel lato p). La capacità di diffusione associata agli elettroni valeC dn= 13 .78 nF/cm2 . Qual è la temperatura della giunzione? [T≈350 K] Esercizio 4Per una giunzione p+ n(unilatera) vale il grafico mostrato in figura, in cuiC jè la capacità di giunzione eV RE Vè la tensione applicata al diodo (in inversa). Calcolare il drogaggio delle regionip+ edn. [N D≈ 9.5×1015 cm− 3 ,N A≈ 5.1×1018 cm− 3 ] 2