Mathematical Engineering - Elettronica

03 Esercitazione Testo

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Esercitazione 3 Gerardo Malavena segnalare errori [email protected] Esercizio 1Grandezza Valore µ n,p1200 /400 cm2 /V·s τn,p100 /500 ns ln,p50 /5µmSi consideri una giunzione n+ pconN A= 1 ×1016 cm− 3 eN D= 1 ×1017 cm− 3 . Gli altri parametri fisici di interesse sono indicati in tabella, dovel ned l pindicano la lunghezza delle regioni drogatenep, rispettivamente. Sapendo che un terzo della regione di carica spaziale è soggetta ad un campo≤10 kV/cm, calcolare la concentrazione di elettroni inx p(estremo della regione di carica spaziale nel lato p). Si assumax n= 0 . [n(x p) ≈2.2×1012 cm− 3 ] Esercizio 2Grandezza Valore l n+ ,p,i,p+ 2/1.5/6/3µm ND+ ,A,A+ 1×1017 /1×1016 /1×1017 cm− 3Assumendo che le regioni pedisiano completamente svuotate, calcolare la tensione da applicare in inversa affinché all’interno del dispositivo vi sia una regione di1µmcon campo elettrico maggiore diF∗ = 1×105 V/cm. Nei calcoli si trascuri la tensione di built-in. [∆V≈24.4 V] 1 Esercizio 3 Grandezza Valore L n+ ,p+ 5µm ND+ ,A− ,A+ 1×1016 /1×1014 /1×1019 cm− 3 FBD3 ×105 V/cmConsiderando i parametri riportati in tabella, calcolare L p− per avere una tensione di breakdownV BDpari a 300 V. Si facciano opportune approssimazioni. [L p− ≈9.3µm] 2