Mathematical Engineering - Elettronica

08 Esercitazione Testo

Divided by topic

Esercitazione 8 Gerardo Malavena segnalare errori [email protected] 1 Esercizio 1Grandezza Valore V B0 V VF B0 V NA5 ×1016 cm− 3 µn1200 cm2 /V·s tox225 nmSi consideri un mosfetdi tiponconV S= V D= 3 V . La tensione di gate è tale da indurre una caduta sul substrato (ϕ S) uguale alla metà del suo valore in forte inversione. Considerando i valori riportati in tabella, calcolare il valore del campo elettrico nell’ossido. Esercizio 2Grandezza Valore V G5 V VF B0 V W/L10 NA1 ×1016 cm− 3 µn800 cm2 /V·s tox100 nmSi consideri un mosfetdi tiponpolarizzato in forte inversione in modo tale che la densità di carica libera nel canale valga|Q c| = 35 nC/cm2 . Il source ed il drain sono polarizzati entrambi ad una tensioneV c, mentre il bulk è tenuto a massa. Considerando i valori numerici riportati in tabella, calcolareV c. 1 Esercizio 3 Grandezza Valore V S= V D1 V VF B0 V W/L10 NA1 ×1017 cm− 3 tox35 nm W100µm L20µmSi consideri un mosfetdi tiponcon il contatto di bulk a massa. Seϕ S= 0 .84 V quanto vale la capacità tra gate e bulk? 2