Informazioni sul documento
- Università
- Politecnico di Milano
- Corso di laurea
- Mathematical Engineering
- Materia
- Elettronica
- Classificazione
- Esercizi · Divisi per argomento
- Formato originale
- Testo
- Testo ricercabile
Divisi per argomento di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Divisi per argomento di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
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Esercitazione 3 Gerardo Malavena segnalare errori a [email protected] Esercizio 1 Grandezza Valore µn,p 1200/400 cm2/V · s τn,p 100/500 ns ln,p 50/5 µm Si consideri una giunzione n+p con NA = 1 × 1016 cm−3 e ND = 1 × 1017 cm−3. Gli altri parametri fisici di interesse sono indicati in tabella, doveln ed lp indicano la lunghezza delle regioni drogaten e p, rispettivamente. Sapendo che un terzo della regione di carica spaziale è soggetta ad un campo≤ 10 kV/cm, calcolare la concentrazione di elettroni in xp (estremo della regione di carica spaziale nel latop). Si assuma xn = 0. [n(xp) ≈ 2.2 × 1012 cm−3] Esercizio 2 lp li lp+ln+ n+ p ND + NA NA + p+ i Grandezza Valore ln+,p,i,p+ 2/1.5/6/3 µm ND+,A,A+ 1 × 1017/1 × 1016/1 × 1017 cm−3 Assumendo che le regionip ed i siano completamente svuotate, calcolare la tensione da applicare in inversa affinché all’interno del dispositivo vi sia una regione di1 µmcon campo elettrico maggiore di F ∗ = 1 × 105 V/cm. Nei calcoli si trascuri la tensione di built-in. [∆V ≈ 24.4 V] 1 Esercizio 3 LP- LP+Ln+ n+ p- ND NA - NA + p+ Grandezza Valore Ln+,p+ 5 µm ND+,A−,A+ 1 × 1016/1 × 1014/1 × 1019 cm−3 FBD 3 × 105 V/cm Considerando i parametri riportati in tabella, calcolareLp− per avere una tensione di breakdown VBD pari a 300 V. Si facciano opportune approssimazioni. [Lp− ≈ 9.3 µm] 2
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