05 09 2024 E T

Pagina 1

Appello Settembrino – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 5/09/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Si consideri una giunzione pn. N A = 3 × 1016 cm-3. Determinare ND affinché, quando la giunzione è polarizzata applicando +200 mV alla zona p e tene ndo la zona n a massa, la barriera energetica che un elettrone deve superare per andare dalla zona neutra n alla zona neutra p sia pari a 505 mV. 1.2 Si consideri una giunzione pn. NA = ND = 3 × 1015 cm-3. Immaginando di lasciare la zona n a massa ed applicare un generatore Vext alla zona p, quale è la tensione Vext che fa sì che il campo elettrico massimo in modulo raggiunga il valore di 2 × 104 V/cm? Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 1/gm = 550 Ω, C1 470 pF, R1 10kΩ, C2 4.7 pF. 2.1 Calcolare vout1(s)/vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare vout2(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, determinare Ad0 affinché il trasferimento reale Vout(s)/Vin(s) presenti un polo in 100 kHz. 3.2 Con riferimento al circuito di Fig. 3 b, calcolare il trasferimento ideale Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato.