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I Appello Estivo – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 06/06/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1.1 Si consideri un transistore nMOS polarizzato come segue: il Bulk ed il Source sono entrambi a massa, il gate si trova a 5 V , la tensione tra gate e drain è pari alla tensione di soglia. NAB = 3 × 1016 cm-3, tox = 80 nm, VFB = 0.3 V. W = 1500 µm, L = 15 µm. 1.1. Calcolare il potenziale di drain rispetto a massa. 1.2. Si supponga ora che il potenziale di source passi da 0 V a +300 mV. Di quanto varia l’estensione della zona svuotata lato source rispetto al caso in cui il source era a massa? Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. 1/gm = 1 kΩ 2.1 Si trascuri C1 e si calcoli vout/vin 2.2 Si consideri ora C1 e si c alcoli vg2(s)/vin(s) disegnandone il diagramma di bode de l modulo quotato Es. 3 Fig. 3.1 3.1 Calcolare il trasferimento ideale vout(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Cin = 100 pF. 3.2 Determinare Cin in modo tale che il circuito abbia margine di fase di 45° (si sostituisca a C1 un circuito aperto). Ad0 = 105, τd = 0.1 s.