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Elettronica per ing. BIO proff. Alberto TOSI e Franco ZAPPA 7 Maggio 2015 Prima prova in itinere Es. 1 R1=5kΩ, R2=3kΩ, R3=2kΩ, VA= 4.3V, C=10nF, T=500µs. a) Senza C e con ingresso sinusoidale Vin(t)=20V·sin(2π·20kHz·t), disegnare l’andamento quotato di Vout(t). b) Dire cosa cambierebbe rispetto al punto a) se il diodo avesse l’effetto Zener VZ=12V. c) Collegando C e con ingresso ad onda quadra (mostrato a lato), disegnare l’andamento quotato di Vout(t). Es. 2 R1=40kΩ, R2=10kΩ, R3=0.5kΩ, R4=7.5kΩ, R6=5kΩ. CA=0.2nF, CB=3.5µF. MOSFET: VTn=|VTp|=0.5V, kn=3mA/V2, |kp|=0.5mA/V2. a) Con V in=0V, d imensionare R 5 per avere Vout= ̶ 2.5V e ricavare tutte le correnti e le tensioni. b) Calcolare la corrente erogata da VPOS, VNEG e dalla massa. c) Determinare per quali valori di kn il MOSFET M1 è saturo. Es. 3 R1=1kΩ, R 2=1kΩ, R 3=220kΩ, R4=33kΩ, R5=10kΩ, R6=47kΩ, C=10nF. a) Disegnare il diagramma di Bode del modulo del guadagno ideale Vout(f)/Vin(f). b) Calcolare l’effetto su V OUT di un a tensione di offset VOS=0.5mV e delle correnti di bias IB=5nA (entranti). c) Calcolare la corrente erogata dall’OpAmp per VIN= ̶ 20mV in continua. Es. 4 RG1=1kΩ, RG2=1kΩ, RLOAD=10kΩ. CIN=10µF, CG=1nF, CLOAD=10nF. INA con tutte le resistenze interne Rf=100kΩ. MOSFET: VTn=1V, kn=0.1mA/V2. La fotoresistenza RIN vale 100 Ω. a) Calcolare Vout totale. b) Disegnare il diagramma di Bode del modulo del guadagno ideale Vout(f)/Vin(f). u '"' {t) "'- 2CJ . s '"' {err-2o/df1 . 1::) J1 }JaJo e/ fv?Y • ,~ &~ 9J'oiA.f... f~ 'Ir,::;cO e ~ ::::0,1 - lfou f-:: 5 - 2 k - 2 V Zt<.-t 3/A .e Vw. :::: ~ . (j;k -r- 3 t< -r zt!-} ::::: t-1 0 tl 5t< f ( .J.\o k evvf--er~- ( "1 co._._£~~ (~uvt._dJ .e. u.- );;u- .. - ~ot_ I1 ?0 )/ /Nc~'fre_ r v,,., .<. 10 t! r( clv"!t, So> Sf='<j"'-f!r?/ 11~ ( 1<>"'- J_ ~-::;.. 0 €. \JD fJ?…