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I Appello Invernale – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 08/01/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. Determinare Cox affinché la corrente portata dal transistore sia pari a 11.5 µ A quando VGS = 3V, VDS = 0.01 V, VSB = 0 V. VFB = 0 V, NAB = 1016 cm-3, W/L = 100, µn = 1200 cm2/Vs. 1.2 Si consideri un condensatore nMOS. N AB = 1016 cm-3, tox = 150 nm. Determinare φs tale per cui Cgb = 15 nF/cm2. Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Calcolare vout2(s)/vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare vout1(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3 3.1 Sia Iin un triangolo di corrente come in figura. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di id2 discutendo lo stato di conduzione dei diodi. Si trascuri C. 3.2 Sia Iin uno scalino di corrente di ampiezza - 1mA (non in figura). Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di vout discutendo lo stato di conduzione dei diodi. Non si trascuri C. +VDD R1 = R2