08 Esercitazione Testo

Pagina 1

Esercitazione 8 Gerardo Malavena segnalare errori a [email protected] 1 Esercizio 1 Grandezza Valore VB 0 V VF B 0 V NA 5 × 1016 cm−3 µn 1200 cm2/V · s tox 225 nm Si consideri un mosfet di tipo n con VS = VD = 3 V . La tensione di gate è tale da indurre una caduta sul substrato ( ϕS) uguale alla metà del suo valore in forte inversione. Considerando i valori riportati in tabella, calcolare il valore del campo elettrico nell’ossido. Esercizio 2 Grandezza Valore VG 5 V VF B 0 V W/L 10 NA 1 × 1016 cm−3 µn 800 cm2/V · s tox 100 nm Si consideri un mosfet di tipo n polarizzato in forte inversione in modo tale che la densità di carica libera nel canale valga |Qc| = 35 nC /cm2. Il source ed il drain sono polarizzati entrambi ad una tensione Vc, mentre il bulk è tenuto a massa. Considerando i valori numerici riportati in tabella, calcolare Vc. 1 Esercizio 3 Grandezza Valore VS = VD 1 V VF B 0 V W/L 10 NA 1 × 1017 cm−3 tox 35 nm W 100 µm L 20 µm Si consideri un mosfet di tipo n con il contatto di bulk a massa. Se ϕS = 0 .84 V quanto vale la capacità tra gate e bulk? 2