09 Esercitazione Testo

Pagina 1

Esercitazione 9 Gerardo Malavena segnalare errori a [email protected] Esercizio 1 VDD=3V VSS=-3V IDS Vout R Grandezza Valore W/L 10 VT 1 V R 1 kΩ µnC ′ ox 100 µA/V2 Calcolare ISD e Vout per il circuito in figura. 1 Esercizio 2 VDD=5V M VSS=-5V IDS I VD R2 R1 Sapendo che VT = 1 V, calcolare il massimo valore diR2 che tiene il MOSFET in regime di saturazione (I = 10 mA). Esercizio 3 V+=6V V-=6V ISD VG RLR2 R1 Grandezza Valore VT −2 V R1 400 kΩ R2 800 kΩ RL 1.3 kΩ 1 2 µpC ′ ox W L 2 mA/V2 Calcolare la polarizzazione del MOSFET. 2 Esercizio 3 VDD Vout VDD VSS VSS ISD VG Rout R3 R4 R1 R2 Grandezza Valore VT,n 1 V VT,p −1 V R1 80 kΩ R2 20 kΩ R3 30 kΩ R4 70 kΩ Rout 1 kΩ VDD 5 V VSS −5 V 1 2 µpC ′ ox W L 0.5 mA/V2 1 2 µnC ′ ox W L 1 mA/V2 Calcolare la polarizzazione del circuito. 3