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Elettronica per ing. BIO proff. Alberto Tosi, Angelo Gulinatti, Federica Villa 10 gennaio 2019 Es. 1 R1 = 5 kΩ, R2 = 4 kΩ, R3 = 30 kΩ, R4 = 13 kΩ, VA = -2 V, VB = -3.5 V, C = 100 nF. a) Considerare il circuito di Fig. 1.a. Rappresentare in un diagramma quotato la caratteristica di trasferimento statico VOUT in funzione di VIN. b) Considerare il circuito di Fig. 1.b. L’interruttore si apre all’istante di tempo t = 0 s. Rappresentare in un diagramma quotato l’andamento temporale di VC e VOUT per t > 0 s. Es. 2 R1 = 30 kΩ, R2 = 15 kΩ, R3 = 10 kΩ, R5 = 1 kΩ, CA = 100 nF, CB = 50 nF, IG1 = 50 µA, IG2 = 1.6 mA. MOSFET: VTn = |VTp| = 1 V, kn = 8 mA/V2, |kp| = 4 mA/V2. a) Dimensionare R4 affinché in polarizzazione (Vin = 0 V) sia VOUT = 3 V. Calcolare inoltre tutte le correnti e le tensioni in polarizzazione. b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo di G(f) = vout(f) / vin(f). Es. 3 R1 = 1 kΩ, R2 = 8 kΩ, R3 = 1 kΩ, R4 = 20 kΩ, C = 20 nF. OpAmp: A0= 106, GBWP= 100 MHz. a) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento ideale GID(f) = Vout(f) / Vin(f). b) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento reale GREALE(f) = Vout(f) / Vin(f). Es. 4 RIN = 10 kΩ, RINA = 10 kΩ. CH = 100 nF. MOS: VT = 1V, Cgd = 10pF, VG,hold = 0V, VG,sample = 8V. Il sistema in figura acquisisce e converte un segnale Vin tra -50 mV e +50 mV. a) Dimensionare RG e VREF per sfruttare l’intera dinamica di ingresso dell’ADC. b) Calcolare il numero di bit dell’ADC per garantire una risoluzione su Vin di almeno 100 µV. c) Calcolare l’errore di charge injection quando Vin = 0 V. Es. 5 Si vuole progettare il sistema di illuminazione di un albero di Natale che include 10 luci rosse, 10 luci verdi e 10 luci blu. a) Progettare il circuito che accenda le luci in 4 fasi…