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II Appello Estivo – AA 2022/2023 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 10/07/2023 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1, si assumano tutti i transistori saturi e con 1/gm pari a 1 kΩ 1.1 calcolare il guadagno di modo differenziale vout(s)/vd(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1.2 calcolare il guadagno di modo comune in continua Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, considerando i trasferimenti ideali: 2.1 Si consideri C1 = 4.7 nF e C2 un circuito aperto. Calcolare vout(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Si consideri C1 un circuito aperto e C2 = 4.7 nF. Calcolare v out(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 3.1 Si consideri un transistore nMOS polarizzato in saturazione. W = 100 µm, L = 5 µm, VFB = 0 V, tox = 95 nm, NAB = 3 × 10 16 cm-3. VGS = 5 V, V DS = 20 V. Supponendo che il punto di pinch -off disti dal contatto di drain 100 nm, calcolare il campo elettrico medio tra il punto di pinch-off e il contatto di drain. Si assuma il bulk a massa.