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Appello Estivo – AA 2015/2016 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 12/07/2016 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=1 pF/cm, q=1.6×10-19 C, ni=9.65×109 cm-3. Fig. 1a Ad0=10, (2πτd)-1 = 10Hz Fig. 1b R1 =1 kΩ, C1=100pF, R2 = 100 kΩ, C2=1pF 1.1 Si consideri il circuito in Fig.1a. Calcolare il trasferimento reale Vout/Vin(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato, e disegnare l’andamento nel tempo di Vout(t) quanto Vin(t) è uno scalino di 1 V. 1.2 Si consideri il circuito in Fig.1b. Calcolare il trasferimento ideale Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b, R1=10kΩ, R2=2kΩ 2.1 Si consideri la giunzione pn di Fig. 2 a: in essa fluiscono 48mA . Si consideri per la giunzi one la sua caratteristica esponenziale: I=Is[exp(Vext/Vt)-1]). Le zone p ed n hanno la stessa concentrazione di droganti. Calcolare Na=Nd. µ n = 1200 cm2/Vs, µp = 400 cm 2/Vs, τn = τp = 200 ns, Wn=Wp= 100 µm. L’area della giunzione è di (100µm)2. 2.2 Si consideri il circuito di Fig. 2b. Disegnare su un diagramma quotato in fuzione del tempo l’andamento di Vout, avendo cura di discutere lo stato di conduzione del diodo. Vin= 3[1+sin(2πft)]. Si consideri un solo periodo per Vin, T=1s. Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig 3a. Si assumano tutti i transistori saturi. R1 =20 kΩ, R2 = 1 kΩ, R3= 20 kΩ, C = 1 µF, 1/gm= 1kΩ 3.1 Calcolare Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Calcolare Vout(s)/ Vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato (si sostituisca a R2 un circuito aperto). R=90Ω