1683209893 E 2207051

Pagina 1

Elettronica per ing. BIO proff. Alberto Tosi, Angelo Gulinatti, Federica Villa 5 Luglio 2022 Es. 1 R1 = R2 = R3 = 6 kΩ, C = 10 nF. a) Disegnare la caratteristica statica Vout = f(Vin) per 0 V < Vin < 10 V. b) Con Vin(t) uno scalino da 0 V a 10 V (vedi figura ), disegnare l’andamento temporale quotato di Vout(t). Es. 2 R1 = 20 kΩ, R2 = 50 kΩ, R4 = 10 kΩ, R5 = 4.25 kΩ, R6 = 1.6 kΩ, R7 = 100 Ω, C1 = 100 pF, C2 = 100 nF. VZ = 3 V. MOSFET: VTn = 0.7 V, |VTp| = 0.75 V, kn = 2.5 mA/V2, |kp| = 1.28 mA/V2. a) Con iin = 0 A, dimensionare R3 in modo che I2 = 1.6 mA. Calcolare quindi tutte le correnti e le tensioni di polarizzazione del circuito. b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo del guadagno G(f) = Vout(f) / Iin(f). Es. 3 R1 = 1 kΩ, R2 = 9 kΩ, R3 = 90 kΩ, R4 = 50 kΩ, R5 = 5 kΩ, C = 2 nF. AO1: A0 = 106, GBWP = 30 MHz. a) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del guadagno ideale GID(f) = Vout(f) / Vin(f). b) Si assuma AO2 ideale. Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del guadagno reale GREALE(f) = Vout(f) / Vin(f) e valutare la stabilità del circuito. c) AO1 e AO2 hanno correnti di bias I BIAS = 100 nA entranti. Calcolarne l’effetto sull’uscita V OUT e proporre una modifica circuitale per compensarne l’effetto. Es. 4 Si v ogliono acquisire le variazioni rapide di temperatura misurate della termoresi stenza RT = R25 + S ∙ (T - 25°C), nell’intervallo [-10°C; 50°C] (R25 = 100 Ω, S = 0.5 Ω/°C). Rp = 20 Ω, R1 = 3 kΩ, R2 = 27 kΩ. CH = 10 nF. IS = 1 mA, kn = 0.05 mA/V2, VTn = 300 mV. ADC: VH = 5 V, VL = -5 V, n = 16 bit. INA con resistenze RF = 25 kΩ. a) Dimensionare RG e V REF per sfruttare l’intera dinamica dell’ADC ad alta frequenza. b) Dimensionare C per avere il guadagno calcolato al punto a) per segnali con frequenza fin > 5 Hz. c) Calcolare…