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EsameEsame completoTesto d’esame

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Esame completo di Technologies for Sensors and Clinical Instrumentation per il corso di Biomedical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.

Technologies for Sensors and Clinical InstrumentationEsame completo

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Esame completo di Technologies for Sensors and Clinical Instrumentation per il corso di Biomedical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.

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Tecnologie per Sensori 18 luglio 2012 COGNOME………………………… NOME ……………………………. MATR ………… Es. 1) (6 punti) …/2 1.a) Sia dato un sensore che fornisce la misura di una certa variabile x . Su tale sensore viene effettuata una calibrazione a due punti, cioè viene determinata la sua caratteristica (relazione tra variabile di ingresso, x, e tensione di uscita, Vout), e si ottengono i seguenti dati: x=1 Æ Vout= 1.5V x=4 Æ Vout= 2.7 In realtà, nel corso della calibrazione è stato commesso un errore, in quanto nel corso della seconda misura (x=4) si doveva ottenere Vout=3V. Quale è l’effetto di tale errore sull’offset? Quale è l’effetto di tale errore sul guadagno? Illustrare la risposta con un disegno. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. Es. 2) (4 punti) …/2 2.a) Quali fattori determinano la conducibilità elettrica di un materiale semiconduttore? Con quale relazione? ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. …/2 2.b) Quale è la relazione esistente tra concentrazione di elettroni n e concentrazione di lacune p in un semiconduttore drogato all’equilibrio termico? ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. ……………………………………………………………………………………………………….. Es. 3) (6 punti) Disegnare e descrivere brevemente lo schema di REALIZZAZIONE SU SILICIO dei seguenti dispositivi …/1.2 3.a) SENSORE DI PRESSIONE DIFFERENZIALE PIEZORESISTIVO…

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