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Ele Es. V R a) D D b) C Es. O R a) C b) C I O Es. O R a) D b) D d Es. Il c R1= RON= a) D c b) D a c) D < Es. Il 100m a) P d b) F av ettronica 1 VSS=-5V, VD R1=62kΩ, R Dimensionar Determinare Calcolare la 2 OpAmp con R1=47kΩ, R Calcolare i g Calcolare l ’ B=10nA e n OpAmp. 3 OpAmp con R1=100kΩ, R Disegnare il Disegnare il dello stadio. 4 circuito m i 10kΩ, R 3= =5Ω, VG,hol Dimensiona calcolare il m Determinare almeno 0.3Ω Dimensiona <½LSB. 5 l circuito r i ms per pillo Progettare la da dip-switch are lampe g vviene prim a per DD=+5V, |V R2=47kΩ, RS re la k p e inoltre tutt potenza sta A0=100dB R2=220kΩ, R guadagni vA ’errore sta t ntrante e V O A0=106 e f0 R2=47kΩ, R l diagramma l guadagno . isura il v =5kΩ, R 4= ld=-2V, VG,s are V POL p massimo va e il nume r Ω sul valore are C H per ileva l’ero g ora). a rete che o h) generi un ggiare un ma che siano r ing. BIO VTp|=0.5V. S=1kΩ, RD= del MOS F te le tension atica dissipa e GBWP= R3=110kΩ. A(f)/vin(f) e v tico su v A, OS=5mV di f0=10Hz. R3=3.3kΩ, R a di Bode d reale vOUT( valore di R 120kΩ, C G sample=3V, T er misurar e alore misura ro di bit p e di R2. avere cha r gazione di p ogni x pillo l n impulso d LED a 5 H o passati 10m proff. Fra =2.2kΩ, CS= FET in m ni e le corren ata dal MOS 100MHz. vB(f)/vin(f). , causato d entrambi g R4=47kΩ, C el guadagno (f)/vIN(f) e c R2. V A=1V GS=CGD=5pF TCONV=20μs e R 2≥1kΩ abile di R2. per risolve r rge injecti o pillole (un i le (1≤x≤15, di 1s di dura Hz se un’ e min dalla pr anco ZAPP =1μF, CD=1 modo che nti. SFET e dal d da gli C=22nF. o ideale vOU commentare V, F, s. e re on impulso di , impostato ata. erogazione recedente. PA e Alber 10nF. IDS=2mA. diodo. R1 Vin R1 UT(f)/vIN(f). e la stabilità dip in rto TOSI + _ OA1 R à p-switch 24 VB R2 R3 Group-Counter (x persons) Pills…