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I Appello Invernale – AA 2022/2023 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 25/01/2023 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1 1.1 Calcolare il trasferimento ideale vout(s)/iin(s) 1.2 Calcolare il G loop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato e calcolare il margine di fase Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 si assumano tutti i condensatori in corto circuito. Calcolare v out/vin. 2.2 Si assuma Cin corto circuito, CM in circuito aperto. Calcolare vout(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. CS = 1nF. Es. 3 Fig. 3 3.1 Si consideri la giunzione pn in figura. NA = ND = 1016 cm-3. µn = 1200 cm2/Vs, µp = 400 cm2/Vs. Il tempo di vita di elettroni e lacune è 1 µs. ln’ = 5 µm, lp’ = 300 µm. La giunzione è polarizzata dal generatore V ext. In questa condizione C j(Vext)/Cj(0) = 1.5. Calcolare n’p(+20 µm) e p’n(-2 µm). 3.2 Un elettrone diffonde nella regione neutra p di una giunzione pn polarizzata in di retta. La sua lunghezza di diffusione è pari a 17.66 µ m (s i assuma che la base sia lunga). Sapendo che µ n = 1200 cm 2/Vs, m eff = 0.2 m 0, m0 = 9×10-31 Kg, calcolare in media quante volte l’elettrone urta prima di ricombinare.