25 02 2016 testo

Pagina 1

I appello – AA 2015/2016 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 25/02/2016 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1 pF/cm, q=1.6×10-19 C, ni=9.65×109 cm-3. Fig. 1a R1 =1 k R2 = 10 kR3= 200 k, C1 = 1.5 nF, C2 = 1nF, Ad0=104, (2d)-1 = 10Hz Fig. 1b R1 =1 k R2 = 2 k, R3 = 3k, R4= 4k, R5= 5k. 1.1 Si consideri il circuito in Fig.1a. Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato e calcolare il margine di fase. 1.2 Si consideri il circuito in Fig.1b. Calcolare Vout/Iin assumendo l’operazionale ideale. Es. 2 2.1 Una giunzione pn è polarizzata da Vext = -2V (il generatore è applicato alla zona p, la zona n è a massa). Calcolare il numero di minoritari al cm2 complessivamente presenti nella zona neutra p. Si trascuri l’estensione della zona di carica spaziale ai fini del calcolo dell’estensione delle zone n eutre. NA =1015 cm-3, ND = 2 × 1016 cm-3. n = 1200 cm2/Vs, p = 400 cm2/Vs, n = p = 200 ns, Wn=Wp= 100 m. 2.2 Una giunzione pn è polarizzata da Vext= +450mV (il generatore è applicato alla zona p, la zona n è a massa). Calcolare: il modulo del potenziale in x = 0 (la giunzione metallurgica), la concentrazione di elettroni in x = -200 nm e x = +4 m. NON si trascuri l’estensione della zona di carica spaziale. Wn=Wp= 100 m. NA = 3 × 1016 cm-3, ND = 8 × 1016 cm-3, n = 1200 cm2/Vs, p = 400 cm2/Vs. n = p = 100 ns. Es. 3 Fig. 3a R1 =100 k R2 = 100 kR3= 100 k, R4= 1 k R5= 10 k R6= 60 k C1 = 1 F, C2 = 1nF. 1/gm= 1k Fig. 3b R1 =1 M R2 = 1 MR3= 12 k, R4= 6 k R5= 12 k R6= 100 kC = 100 pF. 1/gm= 12k Si assumano tutti i…