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II Appello Estivo – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 25/07/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Un elettrone in un semiconduttore è soggetto ad un campo elettrico di 10 3 V/cm. Nel tempo che gli occorre per percorrere 1 µm, a quanti urti è soggetto in media? La sua mobilità è di 1100 cm 2/Vs, la sua massa efficace è pari a 2×10-31 Kg. 1.2 Una lacuna sta diffondendo nella zona neutra n di una giunzione pn a basi lunghe. La sua mobilità è pari a 400 cm2/Vs. Il tempo di vita medio è pari a 400 ns. Quanto spazio percorre in media la lacuna prima di ricombinare? Es. 2 Fig. 2 Si consideri il circuito di Fig. 2. τd = 0 s. 2.1 Calcolare il guadagno ideale Vout(s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 2.2 Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato.. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Si considerino le Fig. 3a e 3b. Vi n è uno scalino di ampiezza 1V. Disegnare l’andamento di Vout in funzione del tempo discutendo lo stato di conduzione del diodo, sapendo che il condensatore C1 è scarico per t < 0s, per: 3.1 il circuito di Fig. 3a con R1 = 9 kΩ, R2 = 1 kΩ, C1 = 1 nF 3.2 il circuito di Fig. 3a con R1 = 1 kΩ, R2 = 9 kΩ, C1 = 1 nF 3.3 il circuito di Fig. 3b con R1 = 9 kΩ, R2 = 1 kΩ, C1 = 1 nF