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Elettronica per ing. BIO proff. Alberto Tosi, Angelo Gulinatti, Federica Villa 30 agosto 2018 Es. 1 L’ingresso Vin ha l’andamento mostrato in figura. R1= 1 kΩ, R2= 10 kΩ, C = 10 nF (condensatore inizialmente scarico). a) Rappresentare l’andamento quotato di Vout(t). b) Rappresentare l’andamento quotato di VA(t) e calcolare la massima corrente in D2. Es. 2 RIN = 1kΩ, R1 = R2 = 100 kΩ, R4 = 2 kΩ, R5 = 10 kΩ, C1 = 500 nF, C2 = 10 pF, C3 = 1 nF. MOSFET: VTn = |VTp| = 1 V, kn = 1 mA/V2, |kp| = 0.5 mA/V2. a) Dimensionare R3 affinché in polarizzazione (Vin = 0 V) sia IDn = 1 mA. Calcolare inoltre tutte le correnti e le tensioni in polarizzazione. b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo di G(f) = vout(f) / vin(f). Es. 3 RS = 1 kΩ, R1 = 4 kΩ, R2 = 10 Ω, R3 = 2 kΩ, R4 = 20 kΩ, CA = 20 µF. a) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento ideale GID(f) = Vout(f) / Vin(f). b) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento reale GREALE(f) = Vout(f) / Vin(f). Si assuma OA2 ideale (guadagno infinito), mentre per OA1: A0= 105, GBWP= 100 MHz. Es. 4 R2 = 48 kΩ, R3 = 15 kΩ, R4 = 60 kΩ. ADC: n= 14 bit, TCONV = 8 µs, IBIAS = 100nA Si vuole misurare il profilo di una superficie facendone una scansione con un sensore che genera una tensione VS proporzionale all’altezza h della superficie nel punto in esame: VS = α·h, con α = 10mV/µm e h che può variare nell’intervallo [-2.5 µm; 7.5 µm]. a) Dimensionare R1 e VA per sfruttare l’intera dinamica di ingresso dell’ADC. b) Dimensionare CH affinché l’errore commesso nella fase di hold sia minore di ½ LSB. c) Si vuole effettuare una misura dell’altezza h ogni TS = 10 µs. Calcolare il massimo valore della resistenza RS per garantire un errore in fase di sample (interruttore chiuso) minore di ½ LSB. Es. 5…