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I Appello Autunnale – AA 2013/2014 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 05/09/2014 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a. NA=3x1016 cm-3, n=1200cm2/Vs, tox=20nm, VFB=0 V, VB=0V, W/L=100 R=100 VDD=5V Fig. 1b. 1.1 Con riferimento a Fig. 1a: calcolare la minima corrente Iin tale per cui il potenziale superficiale lato source nel transistore MOS è pari a 2F. La caratteristica dei diodi –identici- è I=IS(exp(Vd/Vt)-1), IS=0.1pA. 1.2 Si consideri una struttura p+/i/p/i/n+ (Fig. 1b), i cui rispettivi drogaggi sono 1017 cm-3, 0 cm-3, 1016 cm-3, 0 cm-3, 1017 cm-3. La struttura è polarizzata in inversa tale per cui le regioni p ed i sono completamente svuotate ed il modulo del campo elettrico assume un massimo pari a 240 kV/cm. Calcolare l’estensione complessiva della regione svuotata. Es. 2 Fig. 2a Si consideri il circuito di Fig. 2a. R2=R3=250k. si assuma per tutti i transistori saturazione e gm-1=650. 2.1 Vin1=-Vin2=Vd/2. Calcolare Vout/Vd. Z=0. R1=10k. 2.2 Vin1=-Vin2=Vd/2. Calcolare Vout(s)/Vd(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Z=RZ||1/sCZ, RZ=6k, CZ=150pF. Si sostituisca ad R1un circuito aperto. 2.3 Calcolare Vout(s)/Vin3(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Z=RZ||1/sCZ, RZ=6k, CZ=150pF, R1=10k Es. 3 Fig. 3a R1=50kR2kR3=1k, R4=10k, Ad0=103, (2d)-1=25Hz Fig. 3b R1=50kR2kR3=1k, Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Iin1=1A, Iin2=-0.5A. Calcolare Vout considerando i trasferimenti ideali 3.2 Vin1=1V, Vin2=1.5V. Calcolare Vout considerando i…