appello 14 07 2015 testo

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I Appello estivo – AA 2014/2015 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 14/07/2015 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Calcolare C tale che il margine di fase del circuito sia pari a 60 . 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Considerando il trasferimento ideale, calcolare Vout/Vin. 1.3 Si consideri il circuito di Fig. 1c. Considerando il trasferimento ideale, calcolare Iout/ Iin. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c Si assumano i transistori tutti saturi. 2.1 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Calcolare Vout/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Si consideri il circuito in Fig. 2b. Calcolare Vout/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 2.3 Si consideri il circuito in Fig. 3b. Calcolare Vout1 e Vout2 quando V CM=1V. Es. 3 Fig. 3a 3.1 Si consideri un transistore nMOS. Vs=Vd=1V.Vfb=0V. N A=5x1016cm-3, tox=70nm. Quale è la minima tensione di gate tale per cui s=1.8V? 3.2 Si consideri un condensatore nMOS. Vfb=0V. N A=1017cm-3, tox=120nm. Calcolare il valore massimo del modulo del campo elettrico per x=0- (vedi Fig. 3a). C