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Appello Autunnale – AA 2016/2017 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 19/09/2017 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. VG è tale da portare il potenziale superficiale φs a metà del valore che raggiunge in forte inversione. Quanto vale in queste condizioni il campo elettrico nell’ossido? NA = 1016 cm-3, µn = 1200 cm2/Vs, tox = 200 nm, VFB=0 V, VB= 0 V, VS=VD= 1 V. 1.2 Si consideri un condensatore nMOS. Vfb = 0 V. NA = 3×1016cm-3, tox = 150 nm. Calcolare la concentrazione di lacune (#lacune/cm3) all’interfaccia fra Si e SiO2 quando VGB=VTH0. Es. 2 Fig. 2a R1=50kΩ, R2=200kΩ, R3=200kΩ, R4=220kΩ R5=400kΩ , R6=180kΩ, R7=80kΩ, C1=100nF, C2=10nF, C3=50pF, C4=20pF, Con riferimento al circuito di Fig. 2a: 2.1 Calcolare Vout/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assumano tutti i transistori saturi e caratterizzati da 1/gm=8kΩ (si sostituisca massa al generatore Vdd). Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Fig. 3c 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a calcolare il guadagno ideale. R=6kΩ 3.2 Si consideri il circuito di Fig. 3b. Calcolare il margine di fase. Ad0 = 103, R1 = 500Ω, R2 = 10kΩ, C=700pF, 1/(2πτd)=10Hz. 3.3 Per il circuito di Fig. 3c calcolare e disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo del guadagno ideale. R=1kΩ, C=33pF. /2 C