Appello 2 09 2010 testo

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Appello Estivo– AA 2009/2010 Milano, 02/09/2010 Elettronica – Ingegneria Matematica Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali appros simazioni . Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Si consideri la struttura MOS di Fig. 1a. 1.1 Calcolare V T0 e calcolare V T per VSB=1V Il transistore di Fig. 1a è connesso come indicato in Fig. 1b (il bulk è a massa). Calcolare ID nelle seguenti condizioni: 1.2 VG=4V, VS=0V, VD=6V 1.3 VG=4V, VS=1V, VD=6V 1.4 VG=4V, VS=1V, VD=1.55V. VFB=0.5V, N A=9 ×10 15 /cm 3, εSi =1pF/cm, εSiO2 =1/3 εSi tox =80nm, µn=800cm 2/Vs, W/L=10 Es. 2 Ipol=400 µA R1=1M Ω R2=1M Ω Rout=20k Ω Rin=100k Ω Cin=1 µF Cout=1 µF C1=2pF Kn=200 µA/V 2 Vtn=1V Kp=200 µA/V 2 |Vtp|=1V Si consideri il circuito in Fig. 2a. 2.1 Polarizzare il circuito calcolando correnti in tutti i rami e tensioni a tutti nodi e verificando la polarizzazione dei transistori in saturazione ( si assumano M2 e M4 saturi ) 2.2 Calcolare la funzione di trasferimento Vout/Vin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato ( si consideri Cout un cortocircuito, si trascuri C1 ) 2.3 Calcolare la funzione di trasferimento Vout/Vin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato ( si consideri Cout un cortocircuito, ma si consideri C1 ) 2.4 Ricalcolare il valore di Vout in polarizzazione in assenza di Cout fig. 2a Es. 3 Si consideri il circuito in fig. 3a. R1= R2=R3=1k Ω . Disegnare su un diagramma quotato l’andamento delle seguenti funzioni di Vin, (-5V<Vin<5V), nelle seguenti condizioni indicando chiaramente lo stato di conduzione dei diodi 3.1 Vout1(Vin) quando l’interruttore è aperto 3.2 Vout2(Vin) quando l’interruttore è aperto 3.3 Vout1(Vin) quando…