appello 21 06 2021 testo

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I Appello Estivo – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 21/06/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a Con riferimento al circuito di figura 1a: 1.1 Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout, discutendo lo stato di conduzione del diodo. Il condensatore è inizialmente scarico. Es. 2 2.1 Un progettista di dispositivi è incaricato di dimensionare un transistore nMOS con le seguenti caratteristiche: per VDS = 0.1 V e V GS = 3 V, la carica di elettroni accumulata deve essere pari , in modulo, a 31.416 fC; lo spessore dell’ossido è di 140 nm e la lunghezza di canale di 5 µm; la tensione V DS di saturazione, per V GS = 3 V, è pari a 0.264V. Si assuma il bulk a massa. NAB = 1016 cm-3 e VFB = 0 V. Quanto vale W? 2.2 Un progettista di dispositivi (diverso da quello del punto 2.1), deve dimensionare un condensatore nMOS affinché, quando il campo elettrico nell’ossido vale 65.7 kV/cm ed è il triplo del campo elettrico massimo nel silicio, la capacità tra gate e bulk valga 18.37 nF/cm 2 per VGB = 0.89 V. Calcolare il drogaggio di bulk. tox = 90 nm, VFB = 0 V, Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig. 3a, e si assumano tutti i transistori saturi: 3.1 Calcolare il trasferimento vout1/vin1 3.2 Calcolare il trasferimento vout2/vin2 3.3 Calcolare il trasferimento vout3/vin3