appello 24 09 2010 testo

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AA 2009/2010 Milano, 24/09/2010 Elettronica – Ingegneria Matematica –24-09-2010 Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Si hanno a disposizione i segnali A, (not A), B e (not B). 1.1 Si disegni in logica CMOS la porta logica che s intetizza (A and B), usando al più 4 transistori in tutto. |Vt|=0.6V; µCoxW/L=500 µA/V 2. Tensione di alimentazione 3.3V. 1.2 Per la porta del punto 1.1, si stimi il tempo d i propagazione del segnale per le seguenti commutazioni degli ingressi: A=0, B=0-> A=1, B=1; A=0, B=1-> A=0, B=0. La porta pilota un carico da 0.2pF 1.3 Si consideri la seguente commutazione degli ing ressi: A=1, B=0-> A=0, B=1. Si supponga che il segnale A commuti da 1 a 0 con un ritardo di 1ns rispetto alla commutazione di B. Disegnare l’andamento dell’uscita. La porta pilota un carico da 0.2pF Es. 2 Fig. 2a Rin=50k Ω Rpol=0.5M Ω Rd=10k Ω Rs=10k Ω |VT|=0.9 0.5 µCoxW/L=300 µA/V 2 Cin=10nF Cm=10pF Cs=1nF Ipol1=4.76 µA Ipol2=1mA Si consideri il circuito in fig. 2a 2.1 Calcolare la polarizzazione indicando correnti in tutti i rami, tensioni in tutti i nodi ed avendo cura di verificare il funzionamento in saturazione dei transistori. 2.2 Calcolare la funzione di trasferimento Vout1(s) /Vin(s), e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.3 Calcolare la funzione di trasferimento Vout2(s) /Vin(s), e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 ND =10 16 cm -3 NA =10 16 cm -3 Wp=5µm Wn=200 µm τn=300ns τp=2 µs µn =1000cm 2/Vs µp =350cm 2/Vs Si consideri la giunzione pn di fig. 3 3.1 Calcolare x n e x p quando la tensione esterna è pari a 0V. 3.2 Calcolare la tensione esterna da…