Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Qualità dell’importazione: il testo è stato estratto direttamente dal documento originale.
Passaggi rappresentativi riconosciuti nelle diverse parti del materiale. Il testo completo resta presente nella pagina per la ricerca, mentre l’anteprima compatta rende più semplice la lettura.
III Appello Estivo – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 27/08/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a Con riferimento al circuito di figura 1 a, disegnare su un dia gramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout indicando lo stato di conduzione del diod o nei seguenti casi: 1.1 R3 = 0 Ω 1.2 R3 = 1 kΩ Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento alla struttura p+/i/n/n+ in figura 2a, si calcoli Vext sapendo che il campo elettrico nella zona intrinseca è pari a 3×10 4 V/cm. La zona p+, la zona n e la zona n+ hanno una estensione di 1 µm, la zona intrinseca di 10 µm. Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig. 3 a, si calcoli il trasferimento vout/vin(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato, assumendo tutti i transistori saturi , nelle seguenti condizioni: 3.1 al posto di C2 si sostituisca un circuito aperto 3.2 al posto di C1 si sostituisca un circuito aperto.
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