appello 29 07 2015 testo

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II Appello estivo – AA 2014/2015 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 29/07/2015 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin. R1=1k R2=2k R3=3k, R4=10k 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Considerando il trasferimento reale, calcolare (V+ - V-) quando Vin=1V. Ad0=105. R1= R2=R3=5k R4=20k 1.3 Si consideri il circuito di Fig. 1c. Considerando il trasferimento ideale, calcolare Iout (s)/Vin(s). R1=5k R2=20k R3=kC1=1nF, C2=10nF. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b 2.1 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Disegnare su un diagramma quotato Vout in funzione di Vin (sia Vin positivi che negativi), avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. R1=R2=10k .+Vx=0V 2.2 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Disegnare su un diagramma quotato Vout in funzione di Vin per Vin>0, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. R1=R2=10k.+Vx=3V 2.3 Si consideri il circuito in Fig. 2 b. Disegnare su un diagramma quotato Vout in funzione di Iin per Iin>0. +Vx=3V, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. R1=5k, R2=10k. Es. 3 3.1 Si consideri una giunzione pn n=1200cm2/Vs, p=400cm2/Vs, n=pns.Wp=Wn=100m, ND= NA=1016 cm-3. Vext=0.6V. Ponendo l’origine degli assi al bordo tra la zona di carica spaziale e la zona neutra p, in quale punto della zona neutra p vale la seguente relazione: Jp/Jn=1.2? 3.2 Si consideri un condensatore nMOS. N A=1016 cm-3, tox=75nm, VFb=0V, bulk a massa. Disegnare su…