Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
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Passaggi rappresentativi riconosciuti nelle diverse parti del materiale. Il testo completo resta presente nella pagina per la ricerca, mentre l’anteprima compatta rende più semplice la lettura.
II Appello Estivo – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 30/07/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a Con riferimento al circuito di figura 1a: 1.1 Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di V out e di ID2, discutendo lo stato di conduzione de i diodi. I condensatori sono inizialmente scaric hi. C1 = 10 µF, C2= 30 µF Es. 2 2.1 In un transistore nMOS la tensione di soglia V TH vale 5.73 V. Calcolare la tensione V SB. NAB = 1016 cm-3, tox = 125 nm, VFB = 0.3 V. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Si assumano tutti i transistori saturi: 3.1 Si consideri il circuito di fig. 3a, e si calcoli il trasferimento v out/vin(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Si consideri il circuito di fig. 3b, e si calcoli il trasferimento v out/(vd/2)(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 1 mA V
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