appello 30 09 2015 testo

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II Appello autunnale – AA 2014/2015 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 30/09/2015 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Vin=8.2V. Avendo cura di indicare lo stato di conduzione dei diodi, calcolare la corrente i erogata dal generatore. R1=R2=R3=R4=1k. 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Vin è uno scalino di ampiezza 1V. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. Il condensatore è inizialmente scarico. 1.3 Si consideri il circuito di Fig. 1c. Vin ha l’andamento trapezoidale indicato in figura. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento della corrente nel condensatore, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. Il condensatore è inizialmente scarico. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c 2.1 Si consideri il circuito di Fig. 2a. Calcolare Vout assumendo l’operazionale ideale. 2.2 Si consideri il circuito di Fig. 2b. Calcolare il margine di fase. Ad0=104,d=100ms. 2.3 Si consideri il circuito di Fig. 2c. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento della corrente nel condensatore, tenendo conto che Ad0=103,d=1ms. Vin è uno scalino da 1V. Es. 3 3.1 Si consideri un condensatore nMOS. Vfb=0V. NA=1016cm-3, tox=80nm. Disegnare su un diagramma quotato l’andamento del campo elettrico nel Si e nel SiO2. VGB=2VTH0. 3.2 Si consideri una giunzione pn polarizzata in inversa: Vext è tale per cui la capacità di giunzione è…