appello 31 08 18 testo

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AA 2017/2018 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 31/08/2018 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS (Fig. 1a). Il modulo del campo elettrico vale 10 kV/cm alla coordinata x1 = -100 nm. L’estensione della zona svuotata è di 200 nm. Calcolare Qc e Qd. NAB = 6.25×1015 cm-3, n = 1200 cm2/Vs, tox = 150 nm, VFB = 0 V, VB= 0 V. 1.2 Si consideri una giunzione pn. NA = ND = 1016 cm-3. n = 1200 cm 2/Vs, p = 400 cm 2/Vs, n = p = 1 s. Sia 𝑉𝑒𝑥𝑡̅̅̅̅̅ la tensione esterna tale per cui n(xp+150nm)=10 np0. Si assuma 𝑉𝑒𝑥𝑡̅̅̅̅̅ applicato alla zona p, la zona n a massa, le basi lunghe. Quante vale in queste condizioni la capacità di diffusione? Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Calcolare Vout3/Vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare (Vout3-Vout2)/Vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato, assumendo C3 in corto circuito. Es. 3 Fig. 3a Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Calcolare il trasferimento reale Vout1/Iin2 in continua. Si assuma il circuito stabile. 3.2 Calcolare il trasferimento ideale Iout2(s)/Iin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm=750, R1=4k, R2=100k, R3=4k, R4=0.6k, R5=3M, C1=47pF, C2=3pF, C3=1nF Vout3 Iin2 Vin2+ 11 R1=10k, R2=250k, R3=250k, R4=1.5k, C1=47pF, C2=47pF Ad0=100, (2d)-1 = 15kHz Iin 1 Iin2 Vout1