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Fondamenti di Elettronica - Ing. INFORMATICA - AA 2017/2018 Preappello / Seconda prova in itinere – 31 gennaio 2018 o Prova completa: svolgere gli esercizi 1 e 2 e i punti a,b,c dell’es.3 e i punti a,b,d dell’es. 4. o Solo seconda parte: svolgere tutti i punti degli esercizi 3 e 4 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Ad esempio 1a) … Esercizio 3. Si consideri il circuito di amplificazione mostrato in figura (in cui C1 modellizza un effetto parassita). R1 = 10kΩ R2 = 90kΩ VDD = 5V CIN = 10nF C1 = 1pF A(s) = A0/(1+sτ0) A0 = 120dB f0 =1/2πτ0 = 10Hz a) Dimensionare il valore di R3 e R4 in modo che in continua il valore di VOUT sia pari a 2,5 V e l’effetto delle correnti di bias (assunte identiche per entrambi i morsetti) sia nullo. b) Ricavare il trasferimento ideale GID(s) = VOUT/VIN(s) del circuito e tracciarne il diagramma di Bode (modulo e fase). c) Disegnare su di un grafico quotato (modulo) il trasferimento reale del circuito. d) Calcolare il guadagno reale con cui sono amplificate due sinusoidi di pari ampiezza (200mV) e frequenza rispettivamente pari a 1kHz e 100kHz. Disegnare il segnale di uscita VOUT(t) per VIN = 0,2V·sin(2π·100kHz·t) in un periodo. e) Considerando i due segnali sinusoidali di ingresso del punto precedente, determinare il minimo valore dello slew-rate dell’amplificatore operazionale tale da non introdurre distorsioni nella forma d’onda di uscita. f) Calcolare il margine di fase del circuito retroazionato. Esercizio 4. Vdd = 5V R1 = 2kΩ R2 = 25kΩ R3 = 20kΩ R4 = 7kΩ K = 1mA/V2 VT = 1V CH = 1nF Si voglia realizzare un termometro digitale, con un sensore di temperatura costituito da due giunzioni a semiconduttore, D1 e D2, identiche in serie. Ognuna di esse ha una tensione in polarizzazione diretta data dalla relazione: V" =700…