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Preappello– AA 2009/2010 Milano, 1/02/2010 Elettronica – Ingegneria Matematica –SECONDA PARTE Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a Si consideri il dispositivo MOS in fig. 1a. In fig 1b è riportata la sua curva caratteristica, ottenuta pon endo VGS=3V, VSB=0V. N A=5 ×10 16 /cm 3, W/L=10, µn=700cm 2/Vs. 1.1 Quanto vale VFB? 1.2 Sia ora VSB=10V, VGS=5V. Disegnare su un diagramma quotato la curva caratteristica del transistore, avendo cura di indicare la pendenza nell’origine, la tensione VDS di ingresso in zona di saturazione e la corrente in saturazione 1.3 Sia VSB=10V, VDS=0V. Quanto deve valere VGS affinchè la carica mobile di canale sia pari a 550nC/cm 2? 1.4 Sia ora VGS=5V, VSB=10V, VDS=0V. Quanto vale la carica nella zona di svuotamento per unità di superficie? Fig. 1b Es. 2 Si consideri il circuito in fig. 2a. 2.1 Calcolare la polarizzazione indicando correnti in tutti i rami, tensioni in tutti i nodi ed avendo cura di verificare il funzionamento in saturazione dei transistori. 2.2 Calcolare la funzione di trasferimento Vout1(s)/Vin(s), e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.3 Calcolare la funzione di trasferimento Vout2(s)/Vin(s), e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.4 Sia ora Vin=0V. A Ipol si sovrappone ora un disturbo Id(s). Calcolare la funzione di trasferimento Vout1(s)/Id(s), e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/2 µ nCox (W/L) n=250 µA/V 2 1/2 µpCox (W/L) p=250 µA/V 2 |V T|=0.7 Ipol=250 µA Rs=10k Ω Rd=100k Ω Cs=5nF Cd=10pF Ipol M1 M2 M3 M4 M5 Vin 6V -6V Rs Cs Rd Cd Vout2 Vout1 VDS I 1.17mA/V 2 V