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Preappello– AA 2009/2010 Milano, 1/02/2010 Elettronica – Ingegneria Matematica –PRIMA PARTE Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a Si consideri il circuito in fig. 1a . C1=C2=C3=1nF. R2=R3=1M Ω . Il segnale I ha l’andamento indicato in fig. 1b . Per t=0 - tutte le capacità sono scariche. Su un diagramma quotato in funzione del tempo (per 0<t<5ms), disegnare: 1.1 l’andameno di Vout1, indicando lo stato di conduzione di D1. 1.2 l’andameno di Vout2, indicando lo stato di conduzione del diodo D2. 1.3 l’andameno di Vout3, indicando lo stato di conduzione di D3. Fig. 1b Es. 2 Fig 2a Si consideri il diodo pn indicato in fig. 2a , polarizzato in diretta da una tensione V D. 2.1 Quanto valgono N A e N D? 2.2 Quanto vale la tensione esterna applicata V D? 2.3 In base alle risposte 2.1 e 2.2, calcolare l’es tensione della zona di carica spaziale quando la tensione esterna è pari aV D. 2.4 Il tempo di vita medio per gli elettroni τn è 5 µs, quello delle lacune τp è 1 µs. Quanto vale la mobilità delle lacune? 2.5 La corrente di diffusione degli elettroni nel p unto -xp vale 140A/cm 2. Calcolare l’estensione della zona neutra p. ( µn=1000cm 2/Vs) t I 1µA -1µA 0 1ms 2ms 3ms 4ms -xp x n pn0 =1.4 ×10 3 /cm 3 np0=10 4/cm 3 n(-xp)=3.35 ×10 15/cm 3 p(-xn) 32 µm ND NA C3 R3 +10V I Vout1 Vout2 C1 R2 C2 Vout3 D1 D2 D3