Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Esame completo di Elettronica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
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Preappello– AA 2010/2011 Milano, 31/01/2011 Elettronica – Ingegneria Matematica –SECONDA PARTE Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 1.1 Si consideri il circuito in fig.1a. Calcolare V 1- V2. ( si ricordi di verificare che i transistor lavorino in saturazione ). R1=50k Ω , R2=40k Ω , 1/2 µCoxW/L=100 µA/V 2, V T0 =1V. Fig 1a 1.2 Si consideri il circuito in fig 1b. La polarizzazione fa sì che il transistore sia saturo e caratterizzato da 1/gm=1k Ω. Calcolare la funzione di trasferimento Vout/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. R1=1k Ω , C1=500pF, R2=10k Ω , C2=3pF Fig 1b Es. 2 Si consideri il circuito in fig. 2a. R=10k Ω , R1=2k Ω , C=100nF, A d0 =10 3 2.1 Calcolare Vout/Vin (ideale) in continua (Iin spento) 2.2 Calcolare Vout/In(s) (ideale) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato (Vin spento) 2.3 Calcolare Gloop(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 2.4 Iin=1mA in continua, Vin=0V. Calcolare il valore reale del potenziale del morsetto invertente rispetto a massa. Fig 2a Vin R R R C R1 Iin Vout V1 V2 M1 M2 R1 R2 7V Vin Ipol R1 C1 R2 C2 Vout V+ V-
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