Secondo C 02 07 08 parte I

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Preappello – AA 2007/2008 Milano, 02/07/2008 Fondamenti di Elettronica – Ingegneria Matematica PARTE 1 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in form ule e poi sostituire i valori numerici. Es. 1 1a) 1b) Si consideri il circuito in figura 1a). La corrente Is ha l’andamento mostrato in figura 1b). Disegnar e su un grafico quotato in funzione del tempo l’andamento delle seguenti grandezze elettriche: 1.1 I R 1.2 I D 1.3 Vout Si consideri il circuito in figura 1c): 1.4 |VT|=1V. Quanta corrente scorre nel diodo? In c he regime lavora il transistore? 1.5 |VT|=0.3V. Quanta corrente scorre nel diodo? In che regime lavora il transistore? Si consideri il circuito in figura 1d): 1.6 |VT|=0.3V. Quanta corrente scorre nel diodo? In che regime lavora il transistore? 1c) 1/2 µC OX W/L=1mA/V 2 1d) 1/2 µC OX W/L=1mA/V 2 Es. 2 2a) 2b) Si consideri il circuito in figura 2a). Le porte lo giche ed il flip-flop sono alimentati a 5V, hanno s oglia di commutazione a 2.5V e ritardo di propagazione di 1n s. Per t=0s Q è al valore logico basso. Dato il seg nale Vin in figura 2b), disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo le seguenti grandezze: 2.1 V1 2.2 V2 2.3 Q Es. 3 FACOLTATIVO Al diodo di figura 3a) è applicata una tensione dir etta. I profili di concentrazione dei portatori minoritari che ne conseguono sono riportati in figura. Calcolare: 3.1 la densità totale di corrente che scorre nel di odo 3.2 il rapporto tra le concentrazioni degli atomi donatori (N D) e degli atomi accettori (N A). (Nota: attenzione alle unità di misura!) 3a) D n=30 cm 2/s, D p = 4 cm 2/s 1.5V 1.5V R=10k Ω C=1pF Vin 5V 0s 20ns t Is 1mA -1mA 1s 0.5s R=2k Ω Is R IR ID Vout Vin V1 V2 R C D Q > CK Zona n neutra Zona p neutra 0.5 µm 0 µm 0 µm 0.5 µm 5.4…