testo elettronica 09 01 24

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Elettronica per ing. BIO proff. Alberto Tosi, Angelo Gulinatti, Federica Villa 9 Gennaio 2024 Es. 1 RI = IO kQ. R2 = 30 k•Q, R3 = 30 kQ, C = 10 nF. c IOV a) Senza il condensatore C e con Vin(t) sinusoidale di ampiezza IOV e frequenza I kHz, disegnare VOut l'andamento telnporale quotato di Vout(t). RI t b) Con il condensatore C e Vin(t) conie in figura, -IOV disegnare randamento temporale quotato di Vout(t). Es. 2 IG = 0.4 mA RI = 20 kQ, RF 30 kQ, RF 1 m, RA = 3.75 kQ, 12 kQ, CA = 20 HF, CB = 0.5 nF. MOS: VTn= IVTpl = I V, Ikll = 2.5 mA/V2, 1 mA/V2, 4 mA/V2. c vouta) Calcolare tutte le correnti e le tensioni di polarizzazione del circuito. RI 3 b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo del guadagno G(f) = vout(f) / vm(f). Es. 3 RI = 5 kQ, RF 6 m, RF 2 kQ, CI = 10 pF, 10 nF. OpAmp: 120 dB, IO Hz. a) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento ideale TID (O Vout (f) / iin(f). b) Rappresentare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento reale TREALE (f) = vout (f) / iin(f) e valutare la stabilità del circuito. c) Con VA = 2.5 V e iin = 400 pA • sin(27t • 200 kHz • t), disegnare l'andamento nel tempo della tensione Vout. Es. 4 Si vuole convertire in digitale una temperatura T misurata tramite una termoresistenza con resistenza: RT(T) = RO • e dove 10kn, B=3000K, To=300K e T è la temperatura (in kelvin) compresa tra 220 K e 320 K. R2 = 40 ICQ, R3 = 10 IO, = 40 kQ. nMOS: VTn = I V, cgs = cgd = 2 pF, VG,HOId - VG.Sample= 7 V. = 10 nF. ADC con n = 14 bit. a) Dimensionare IT e VA per sfruttare l'intera dinamica dell'ADC. b) Calcolare l'errore di charge injection (in LSB) quando T = 220 K. in vss = sv iin IT ADCRT c) Volendo garantire un errore in fase di sample inferiore a 1/2 LSB con una frequenza di campionamento fc = 1 kHz, determinare il…